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NF S92-062-2004 实验室医学.参考测量实验室的要求

作者:标准资料网 时间:2024-05-12 09:10:45  浏览:8438   来源:标准资料网
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【英文标准名称】:Laboratorymedicine-Requirementsforreferencemeasurementlaboratories.
【原文标准名称】:实验室医学.参考测量实验室的要求
【标准号】:NFS92-062-2004
【标准状态】:现行
【国别】:法国
【发布日期】:2004-09-01
【实施或试行日期】:2004-09-20
【发布单位】:法国标准化协会(AFNOR)
【起草单位】:
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:实验室;定义;质量保证;医疗技术学;诊断;标准参考测量方法;参比状态;质量管理;实验室医学;测量仪器;规范(验收);测量不确定度;医学科学
【英文主题词】:
【摘要】:
【中国标准分类号】:C37
【国际标准分类号】:11_100_01
【页数】:22P;A4
【正文语种】:其他


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【英文标准名称】:StandardTestMethodforSurfaceBurningCharacteristicsofBuildingMaterials
【原文标准名称】:建筑材料表面燃烧特性的标准试验方法
【标准号】:ASTME84-2003
【标准状态】:作废
【国别】:美国
【发布日期】:2003
【实施或试行日期】:
【发布单位】:美国材料与试验协会(ASTM)
【起草单位】:ASTM
【标准类型】:()
【标准水平】:()
【中文主题词】:试验;材料;特性;施工材料;表面;火焰表面传播;防火安全;建筑物防火;建筑
【英文主题词】:constructionmaterials;surfaces;materials;surfacespreadofflame;properties;firesafety;firesafetyinbuildings;testing;construction
【摘要】:
【中国标准分类号】:Q10
【国际标准分类号】:13_220_50;91_100_01
【页数】:19P;A4
【正文语种】:英语


基本信息
标准名称:硅退火片规范
英文名称:Specification for silicon annealed wafers
中标分类: 冶金 >> 半金属与半导体材料 >> 半金属与半导体材料综合
ICS分类: 电气工程 >> 半导体材料
发布部门:中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
发布日期:2011-01-10
实施日期:2011-10-01
首发日期:2011-01-10
作废日期:
主管部门:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
归口单位:全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
起草单位:万向硅峰电子股份有限公司、有研半导体材料股份公司、宁波立立电子股份有限公司和杭州海纳半导体有限公司
起草人:楼春兰、孙燕、朱兴萍、宫龙飞、王飞尧、黄笑容、方强、汪成生、程国庆
出版社:中国标准出版社
出版日期:2011-10-01
页数:12页
适用范围

本标准规定了半导体器件和集成电路制造用硅退火抛光片的要求、试验方法、检验规则等。
本标准适用于线宽180nm、130nm 和90nm 工艺退火硅片。

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引用标准

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GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T6621 硅抛光片表面平整度测试方法
GB/T6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14144 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T19921 硅抛光片表面颗粒测试方法
GB/T24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法
YS/T26 硅片边缘轮廓检验方法

所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料

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